低阻型四探針檢測(cè)儀/方阻儀/四探針電阻率檢測(cè)儀  型號(hào);DP-KDY-1

儀器采用GB/T 1552-1995硅、鍺單晶電阻率測(cè)定直排四探針法
（2）范圍：電阻率10-5～10+3歐姆·厘米，分辨率為10-5歐姆·厘米
方塊電阻10-4～10+4歐姆/□，zui小分辨率為10-4歐姆/□
（3）可測(cè)量材料：半導(dǎo)體材料硅鍺棒、塊、片、導(dǎo)電薄膜等
可準(zhǔn)確測(cè)量的半導(dǎo)體尺寸：直徑≥20㎜

可測(cè)量的半導(dǎo)體尺寸：直徑≥8㎜
（4）測(cè)量方式：平面測(cè)量。
（5）電壓表：雙數(shù)字電壓表，可同時(shí)觀察電流、電壓變化
A.量程0~19.999 mV
B.基本誤差±(0.004%讀數(shù)+0.01%滿度)
C.靈敏度：1uV
D輸入阻抗﹥1000MΩ
E 4 1/2位數(shù)字顯示，0～19999
（6）恒流源：
A.電流輸出：直流電流0.003～100 mA連續(xù)可調(diào)，有交流電源供給
B.量程：10uA，100uA，1 mA，10 mA，100 mA五檔

 C.恒流源度：各檔均≤±0.05%
（7）四探針測(cè)試探頭
A.探頭間距1.59㎜
B.探針機(jī)械游率：±0.3%
C.探針直徑0.8㎜
D.探針材料：碳化鎢，探針間及探針與其他分之間的緣電阻大于109歐姆。
（8）測(cè)試架：（選配）
手動(dòng)測(cè)試架：KDJ-1A 型手動(dòng)測(cè)試架探頭上下由手動(dòng)操作，可以用作斷面單晶棒和硅片測(cè)試，探針頭可上下移動(dòng)距離：120mm，測(cè)試臺(tái)面200x200(mm)。
（9）度
電器度：1-1000歐姆≤0.3 %
整機(jī)測(cè)量度：1-100歐姆·厘米≤3%
（10）電流：220V±10%，50HZ，率消耗﹤35W